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射频电路2 传输线1

射频电路 学习笔记

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射频电路 - 这篇文章属于一个选集。
§ 2: 本文

第2讲 传输线理论1:基础与无耗传输线特性
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2.1 传输线概述:是什么、分哪类、用在哪
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1. 传输线的定义
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用以传输高频/微波信号或能量的装置,核心是"传递电磁场能量",区别于低频电路的导线(仅传递电流)。

2. 传输线的分类
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按"横截面场分布"分为三类,对应不同应用场景:

类型 典型例子 特点 应用场景
TEM波传输线 平行双线、同轴线、微带线 横截面上有电场(E)和磁场(H),无纵向分量 射频电路(如天线馈线)
TE/TM波传输线 矩形波导、圆波导 仅含横向E或横向H,有纵向分量 微波大功率传输(如雷达)
混合传输线 介质棒 场分布介于TEM与TE/TM之间 毫米波传输

3. 传输线理论的研究维度
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传输线问题分"横向"和"纵向",前者复杂但后者有通用规律:

  • 横向问题:研究横截面内E、H的分布(场结构),需解边值问题(不同传输线边界条件不同,如同轴线的圆柱边界、波导的矩形边界)。
  • 纵向问题:研究电磁波沿传输线轴向的传播特性(行波/驻波/行驻波),可用"分布参数电路模型"简化分析(核心:用电压/电流替代E/H,降低复杂度)。

4. 分布参数模型:为什么高频要"分布"?
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低频电路用"集总参数"(电阻、电容集中在某个元件上),但高频下导线的电效应不可忽略,需将参数"沿导线分布",模型如下:

分布参数 物理来源 作用
单位长度串联电阻$R_0$ 导体有限电导率+趋肤效应(高频电流集中在表面) 产生导体损耗
单位长度串联电感$L_0$ 导线电流产生高频磁场 储存磁场能量
单位长度并联电容$C_0$ 导体间电压产生高频电场 储存电场能量
单位长度并联电导$G_0$ 导体间介质非理想(有漏电流) 产生介质损耗

通俗理解:高频下,一段导线既是电阻、又是电感,还和相邻导线构成电容——这就是"分布参数"的本质。

2.2 传输线方程及其解:从电路到波的传播
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1. 核心方程:电报方程(时域+频域)
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(1)建立思路
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取传输线上一微分段$\Delta z$,对其应用基尔霍夫电压定律(KVL) 和基尔霍夫电流定律(KCL),当$\Delta z \to 0$时,得到电压$U(z,t)$和电流$I(z,t)$的微分方程。

(2)时域电报方程
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$$ \begin{cases} \frac{\partial U(z,t)}{\partial z} = -R_0 I(z,t) - L_0 \frac{\partial I(z,t)}{\partial t} \\ \frac{\partial I(z,t)}{\partial z} = -G_0 U(z,t) - C_0 \frac{\partial U(z,t)}{\partial t} \end{cases} $$
  • 左边:电压/电流沿轴向的变化率;
  • 右边:电阻/电导的损耗项(含$R_0$、$G_0$)+ 电感/电容的动态项(含$\partial/\partial t$)。
(3)频域电报方程(时谐信号)
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高频信号通常是时谐的($U(z,t) = \text{Re}[U(z)e^{j\omega t}]$,$I(z,t) = \text{Re}[I(z)e^{j\omega t}]$),代入时域方程得: $$ \begin{cases} \frac{dU(z)}{dz} = -Z_0 I(z) \\ \frac{dI(z)}{dz} = -Y_0 U(z) \end{cases} $$ 其中:

  • $Z_0 = R_0 + j\omega L_0$:单位长度串联阻抗(含损耗);
  • $Y_0 = G_0 + j\omega C_0$:单位长度并联导纳(含损耗)。

2. 方程的通解:电压/电流是"入射波+反射波"
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对频域电报方程二次求导,得到亥姆霍兹方程(描述波的传播): $$ \frac{d^2 U(z)}{dz^2} - \gamma^2 U(z) = 0, \quad \frac{d^2 I(z)}{dz^2} - \gamma^2 I(z) = 0 $$ 其中$\gamma = \sqrt{Z_0 Y_0}$称为传播常数,展开为$\gamma = \alpha + j\beta$:

  • $\alpha$:衰减常数(Np/m),描述波沿传输线的衰减程度;
  • $\beta$:相位常数(rad/m),描述波沿传输线的相位变化。

方程的通解为: $$ U(z) = A_1 e^{-\gamma z} + A_2 e^{\gamma z}, \quad I(z) = \frac{1}{Z_c}(A_1 e^{-\gamma z} - A_2 e^{\gamma z}) $$ 其中:

  • $A_1 e^{-\gamma z}$:沿$+z$方向传播的入射波(从源到负载);
  • $A_2 e^{\gamma z}$:沿$-z$方向传播的反射波(从负载到源);
  • $Z_c = \sqrt{\frac{Z_0}{Y_0}}$:特性阻抗(核心参数,见下文)。

3. 关键参数的物理意义
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参数 公式(无耗条件下$R_0=0,G_0=0$) 物理意义
特性阻抗$Z_c$ $Z_c = \sqrt{\frac{L_0}{C_0}}$ 入射波电压与入射波电流的比值($Z_c = \frac{U^+}{I^+}$),仅与传输线结构/介质有关,与长度无关
衰减常数$\alpha$ $\alpha = 0$(无耗) 无耗时无衰减,有耗时$e^{-\alpha z}$描述波幅衰减
相位常数$\beta$ $\beta = \omega \sqrt{L_0 C_0}$ 每传播单位长度的相位变化,与波长关系:$\beta = \frac{2\pi}{\lambda}$
电长度$\theta$ $\theta = \beta z = \frac{2\pi z}{\lambda}$ 用相位表示的传输线长度(无量纲),比实际长度更实用

2.3 无耗传输线的特解:边界条件下的具体形式
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通解中的$A_1$、$A_2$由边界条件确定,最常用的是"终端边界条件"(已知负载端电压$U_L$、电流$I_L$)。

1. 终端边界条件($z=l$处,$U(l)=U_L$,$I(l)=I_L$)
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通过坐标变换$z' = l - z$($z'$:从负载向源端的距离,$z'=0$为负载,$z'=l$为源端),结合无耗条件$\gamma = j\beta$、欧拉公式$e^{jx} = \cos x + j\sin x$,最终得到: $$ \begin{cases} U(z') = U_L \cos(\beta z') + jZ_c I_L \sin(\beta z') \\ I(z') = I_L \cos(\beta z') + j\frac{U_L}{Z_c} \sin(\beta z') \end{cases} $$ 写成矩阵形式(方便工程计算): $$ \begin{bmatrix} U(z') \\ I(z') \end{bmatrix} = \begin{bmatrix} \cos(\beta z') & jZ_c \sin(\beta z') \\ j\frac{1}{Z_c} \sin(\beta z') & \cos(\beta z') \end{bmatrix} \begin{bmatrix} U_L \\ I_L \end{bmatrix} $$

2. 反射系数与驻波比:描述负载失配的核心指标
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当负载$Z_L \neq Z_c$时,入射波会在负载端反射,用"反射系数"和"驻波比"量化失配程度。

(1)负载反射系数$\Gamma_L$
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定义:负载端反射波电压与入射波电压的比值: $$ \Gamma_L = \frac{U_L^-}{U_L^+} = \frac{Z_L - Z_c}{Z_L + Z_c} $$

  • 模$|\Gamma_L|$:反射波幅度占入射波的比例($0 \leq |\Gamma_L| \leq 1$);
  • 辐角$\phi_L$:反射波与入射波的相位差。

无耗传输线上任意点$z'$的反射系数:$\Gamma(z') = \Gamma_L e^{-j2\beta z'}$(模不变,相位随$z'$变化)。

(2)电压驻波比(VSWR)$\rho$
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定义:传输线上电压最大值与最小值的比值: $$ \rho = \frac{U_{max}}{U_{min}} = \frac{1 + |\Gamma_L|}{1 - |\Gamma_L|} $$

  • 性质:$\rho \geq 1$(无反射时$\rho=1$,全反射时$\rho=\infty$);
  • 与反射系数的关系:$|\Gamma_L| = \frac{\rho - 1}{\rho + 1}$(已知$\rho$可反求反射系数)。

2.4 无耗传输线的阻抗特性:输入阻抗
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1. 输入阻抗的定义
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传输线上任意点$z'$(距离负载$z'$)往负载看的阻抗,即该点电压与电流的比值: $$ Z_{in}(z') = \frac{U(z')}{I(z')} $$

2. 核心公式(代入特解推导)
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$$ Z_{in}(z') = Z_c \cdot \frac{Z_L + jZ_c \tan(\beta z')}{Z_c + jZ_L \tan(\beta z')} $$
  • 关键变量:$Z_L$(负载阻抗)、$z'$(距离负载的长度)、$\beta z'$(电长度)。

3. 两个重要特性(高频电路设计的核心)
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特性 条件 公式/结论 物理意义
λ/2重复性 $z' = n\lambda/2$(n为整数) $Z_{in}(n\lambda/2) = Z_L$ 每经过λ/2,输入阻抗与负载阻抗相等(相位循环2π)
λ/4倒置性 $z' = (2n+1)\lambda/4$ $Z_{in}((2n+1)\lambda/4) = \frac{Z_c^2}{Z_L}$ 每经过λ/4,输入阻抗与负载阻抗"倒置"(如感性变容性)

例:若$Z_c=50\Omega$,$Z_L=100\Omega$,则λ/4处输入阻抗$Z_{in}=50^2/100=25\Omega$(将100Ω倒置为25Ω)。

第2讲核心总结
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  1. 高频传输线需用分布参数模型,核心参数:$R_0、L_0、C_0、G_0$;
  2. 无耗传输线的关键参数:$Z_c=\sqrt{L_0/C_0}$(特性阻抗)、$\beta=\omega\sqrt{L_0C_0}$(相位常数);
  3. 负载失配的量化:$\Gamma_L=(Z_L-Z_c)/(Z_L+Z_c)$(反射系数)、$\rho=(1+|\Gamma_L|)/(1-|\Gamma_L|)$(驻波比);
  4. 输入阻抗的核心特性:λ/2重复性、λ/4倒置性(高频匹配电路设计的基础)。
射频电路 - 这篇文章属于一个选集。
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